2011年11月1日 星期二

「Tri-Gate」介紹及影片

Intel 官方技術開發部門負責人 Mark Bohr 透露此項被稱為「Tri-Gate」的電晶體約可有效提升約 37% 效能,而如在同樣的運作環境條件之下,整體電源損耗約僅有傳統平面電晶體的一半。














3d


















大家會不會很好奇
"" 可有效提升約 37% 效能,而如在同樣的運作環境條件之下,整體電源損耗約僅有傳統平面電晶體的一半。"" 這是哪來的 ???
















Intel 圖解



黃色圓點 : 矽半導體 , 矽的空軌域 , 可以流通電子



黃色薄片 : 電晶體的 GATE ,



銀色 : 金屬導電










運作原理如下







當上方金屬層沒有通電的時候 ,會使銅GAT不帶電 , 黃色薄片下方 矽半導體的小圓點部分 空軌域沒有阻礙 , 就可以通電 ...










2d1.jpg















當上方金屬層通電的時候 ,會使銅GAT導電 把下方 矽半導體 空軌域電子吸住 , 就跟煞車一樣 . 下方電子就無法流動 , 當上方金屬快速切換 , 就是我們現在所講的時脈 ,
早期加電壓 可以把電子吸住的力度 , 但是加得太高上面金屬層的電流就會貫穿黃色薄片 , 導致短路 , 也就是一般所知的處理器燒毀 .












上方金屬的電 , 穿過 黃色薄片 流到電路裡面 , 一般稱之為漏電 , 現在處理器電晶體上幾乎無法避免 , 因為現在黃色薄片越來越薄 , 但 頻率越高 , 黃色薄片就不能厚 , 有玩車的人就知道 , 越厚煞車越不利 , 會拖 , 要高時脈 所以只能薄... ( 看來玩車跟處理器是一法通萬法通 , 所以車車要上氮氣 , 跟處理器上氮氣 是一樣的對吧 . )











2d2.jpg











回到 Tri-Gate 做成這形狀 , 煞車面積變大 , 所以電壓 ( 吸力 ) 可以下降 , 因為電壓低 , 擊穿的漏電也會下降 , 所以可以省電 , 也因為電壓超級低 , 所以幾乎可以做到 0 漏電 .











3d1.jpg











有清楚嗎 ? 沒清楚的話 看下面的影片 XDDDD










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